易游中国官方网站,Ltd。开始对下一代功率半导体的高导热银烧糊的样品

2024年8月1日

Tokyo, Japan - August 1, 2024 易游中国官方网站, Ltd (TOKYO: 4203 HQ: Shinagawa-ku, Tokyo, President and Representative Director: Kazuhiko Fujiwara) has started sample shipment of High Thermal Conductive Silver Sintering Paste 150 W/m K for next-generation power semiconductors,旨在于2024年12月进行大规模生产。该产品的使用使得替换铅焊料(37%的铅含量)成为可能,这具有很大的环境影响。此外,通过将该产品应用于SIC功率半导体,它将有助于小型化和减少组件,同时增强功率半导体的功能。

开发背景

近年来,电力半导体已被用作电子设备,用于控制广泛的应用中的高功耗,包括电动汽车的转换器/逆变器(EVS)和新的能源应用以及诸如太阳能和风能发电系统的新能源应用,预计市场将扩展。在这种背景下,对SIC功率半导体具有优于SI的需求正在增长。SIC功率半导体通常以高功率使用并具有高热量。但是,SIC是一种具有高热导率的材料,因此难以有效扩散热量。因此,模具附着结合基板和芯片的材料需要大量散热。铅焊料已被广泛用于模具材料。但是,焊料制造过程中产生的废物和液体废物可能包含铅和其他有害物质,以及重金属,从而产生巨大的环境影响。另外,焊料的导热率(25〜60 W/m K)不足以用于SIC功率半导体所需的热量耗散。为了解决这个问题,烧结的银糊吸引了作为高热电导率材料的关注,并且有望扩大市场。我们一直在努力达到烧结银糊的高导热率和高可靠性。我们公司成功地开发了高热量耗散半插入的银糊,导热率为150 W/m k,并开始运输样品。

高温电导率烧结银糊,用于功率半导体150 W/m k

使用我们的树脂复合技术开发的银糊结合了银色和树脂,它们具有极好的灵活性和高烧结的加速度。借助这种树脂技术,高热量耗散为150 W/m k,可用于非压力过程中,并有望减少粘结组件的损坏,并因批处理处理而缩短过程。

预期使用的零件

此外,该产品的固化温度低于传统的完整烧结材料,由于固化过程中材料之间线性热膨胀系数的差异,这会减少压力,并且在一个包装或模块中包含不同高度的多个组件的粘结可加工性方面非常好。它可以用作焊接和完整烧结材料的替代品,用于键合功率半导体芯片和冷却器。微银(比纳米层便宜)也可以用来实现高且高的可靠性和高可靠性,这是由于冷却和温度周期的持久性。

使用此产品的优势

  • 可以通过更换电源半导体中使用的铅焊料(37%的铅含量)来减少铅。
  • 通过低粘结温度与完整烧结材料相比,CTE差异减轻压力
  • 提高了一个包装或模块中具有不同高度的多个组件的键合可工作性
  • 应用于SIC半导体,可以使产品微型化和零件减少,同时增强功能
项目 焊料 银色全烧结材料 银半插图材料
需要厚度@ IC芯片键合 20UM 70UM 20UM
键合温度 225度 250度 200度
需要/不需要加压 不必要 必需 不必要
物质损坏
费用/每人pkg * << 1 > 5 1

*索引银半合格材料为1    - 零件编号字符是代表性值     - Cooler bonding material: The required thickness tends to increase in the order of "silver full sintered > solder >银半合成材料“

通过树脂技术和银的高温导电性和高热量耗散的实现

高热导电材料的开发过渡

高热导电材料的开发过渡

未来计划

至于高温电导率烧结银糊为150 W/m k的功率半导体,我们于2023年9月开始为客户测试样品,并正在与客户评估糊剂。我们的目标是在2024年12月进行大规模生产。

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有关此信息的查询

信息和电信材料部门,易游中国官方网站,Ltd。电话: +81-3-5462-4105